金融界2024年10月31日消息，国家㊣知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118841364 A，申请㊣日期为2023年4月。
专利摘㊣要㊣显示，公开了一种半导体结构及其制造方法。制造方法包括：衬底、位于衬底上的堆叠结构以及支撑结构砷化镓半导体材料，其中，堆叠结构包㊣括㊣多个沿垂直方向间隔排布的有源层，有源层包㊣括多个沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布的第一有源部，第二方向和第一方向相交㊣且均与衬底平面平行；支撑结构包括第一贯穿部和第一凸出部，第一贯穿部沿垂直方向延伸并覆㊣盖多个第一有源部的侧壁半导体制造工艺，第一凸出部位于第一贯穿部的下方并嵌入衬底内。